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S8050
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S8050

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Sin impuestos
Características:

Transistor Bipolar (BJT) NPN

Dispositivo diseñado para operar como amplificador de audio

IC: 500 mA

PD: 625 mW

VCEO: 25 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 V

hFE: 160 a 300 (Ranking D)

FT: 150 MHz mínimo

VCE(sat): 0.6 V max.

Potencia de salida de 1 W en amplificadores con configuración clase B Push-pull

Encapsulado: TO-92

Cantidad

  Política de seguridad

(editar con el módulo de Información de seguridad y confianza para el cliente)

  Política de entrega

(editar con el módulo de Información de seguridad y confianza para el cliente)

  Política de devolución

(editar con el módulo de Información de seguridad y confianza para el cliente)

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