- Agotado o en almecén
MPSA13
$3.00
0 en stock
Sin impuestos
Transistor de silicio NPN Darlington, diseñado para aplicaciones que requieren una ganancia extremadamente alta.
Características:
Voltaje colector-base (VCBO): 30V.
Voltaje colector-emisor (VCES): 30V.
Voltaje del emisor-base (VEBO):10V.
Corriente de colector continua (IC): 500mA.
Disipación de energía (PD): 625 mW.
Temperatura de unión de funcionamiento y almacenamiento (TJ): -65°C ~150 °C.
Resistencia térmica: 200O.
Política de seguridad
(editar con el módulo de Información de seguridad y confianza para el cliente)
Política de entrega
(editar con el módulo de Información de seguridad y confianza para el cliente)
Política de devolución
(editar con el módulo de Información de seguridad y confianza para el cliente)
Comentarios (0)
No hay opiniones de clientes por el momento.
Su agradecimiento a la reseña no pudo ser enviado
Reportar comentario
¿Está seguro de que quiere denunciar este comentario?
Reporte enviado
Su reporte ha sido enviado y será considerada por un moderador.
Su reporte no pudo ser enviado
Escribe tu opinión
Reseña enviada
Su comentario ha sido añadido y estará disponible una vez sea aprobado por un moderador.
Su reseña no pudo ser enviada
Transistor de silicio NPN Darlington, diseñado para aplicaciones que requieren una ganancia extremadamente alta.
Características:
Voltaje colector-base (VCBO): 30V.
Voltaje colector-emisor (VCES): 30V.
Voltaje del emisor-base (VEBO):10V.
Corriente de colector continua (IC): 500mA.
Disipación de energía (PD): 625 mW.
Temperatura de unión de funcionamiento y almacenamiento (TJ): -65°C ~150 °C.
Resistencia térmica: 200O.