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IRFP250N
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Sin impuestos
MOSFET de potencia Canal N 200V
Ideal para aplicaciones que requieren de conmutación rápida y amplificación de señales.
Brinda una baja resistencia.
Tipo: MOSFET Canal N
Voltaje de drenaje a fuente: 200 V
Voltaje de impulso: 10V
Corriente de drenaje - continua:30A en Vgs 10V y 25 ° C
Disipación de potencia total (Tc=25°C): 214 W
Política de seguridad
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Ideal para aplicaciones que requieren de conmutación rápida y amplificación de señales.
Brinda una baja resistencia.
Tipo: MOSFET Canal N
Voltaje de drenaje a fuente: 200 V
Voltaje de impulso: 10V
Corriente de drenaje - continua:30A en Vgs 10V y 25 ° C
Disipación de potencia total (Tc=25°C): 214 W