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IRF840
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MOSFET de potencia Canal N 8A 500V
Utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas.
Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica tanto en circuitos analógicos o digitales gracias a su baja resistencia térmica y el bajo costo.
Tipo: MOSFET Canal N
Voltaje de drenaje a fuente: 500 V
Voltaje de impulso: 10V
Corriente de drenaje - continua: 8 A
Disipación de potencia total (Tc=25°C): 125 W
Temperatura de operación mínima: -55 °C
Temperatura de operación máxima: 175 °C
Encapsulado: TO-220
Política de seguridad
(editar con el módulo de Información de seguridad y confianza para el cliente)
Política de entrega
(editar con el módulo de Información de seguridad y confianza para el cliente)
Política de devolución
(editar con el módulo de Información de seguridad y confianza para el cliente)
Data Sheet:
481
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Utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas.
Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica tanto en circuitos analógicos o digitales gracias a su baja resistencia térmica y el bajo costo.
Tipo: MOSFET Canal N
Voltaje de drenaje a fuente: 500 V
Voltaje de impulso: 10V
Corriente de drenaje - continua: 8 A
Disipación de potencia total (Tc=25°C): 125 W
Temperatura de operación mínima: -55 °C
Temperatura de operación máxima: 175 °C
Encapsulado: TO-220