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IRF520
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MOSFET de potencia Canal N 9.2A 100V
Ideal para aplicaciones que requieren de conmutación rápida y amplificación de señales.
Brinda una baja resistencia y una excelente relación costo-efectividad.
Tipo: MOSFET Canal N
Voltaje de drenaje a fuente: 100 V
Voltaje de impulso: 10V
Corriente de drenaje - continua: 9.2 A
Disipación de potencia total (Tc=25°C): 60 W
Temperatura de operación mínima: -55 °C
Temperatura de operación máxima: 175 °C
Encapsulado: TO-220
Política de seguridad
(editar con el módulo de Información de seguridad y confianza para el cliente)
Política de entrega
(editar con el módulo de Información de seguridad y confianza para el cliente)
Política de devolución
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MOSFET de potencia Canal N 9.2A 100V
Ideal para aplicaciones que requieren de conmutación rápida y amplificación de señales.
Brinda una baja resistencia y una excelente relación costo-efectividad.
Tipo: MOSFET Canal N
Voltaje de drenaje a fuente: 100 V
Voltaje de impulso: 10V
Corriente de drenaje - continua: 9.2 A
Disipación de potencia total (Tc=25°C): 60 W
Temperatura de operación mínima: -55 °C
Temperatura de operación máxima: 175 °C
Encapsulado: TO-220