-Polaridad del transistor: PNP
-Voltaje colector base VCBO: -80 V
-Voltaje de colector emisor VCEO: -65 V
-Voltaje emisor base VEBO: -5 V
-Corriente del colector DC: -100 mA
-Disipación de potencia Pd (c=25°C): 1.5 W
-Transición de frecuencia tf: 150 MHz
-Ganancia de corriente continua hFE: 110 hFE
-Temperatura de operación mínima: -55°C
-Temperatura de operación máxima: 150 °C
-Encapsulado: TO-92
-3 pines
(editar con el módulo de Información de seguridad y confianza para el cliente)
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-Polaridad del transistor: PNP
-Voltaje colector base VCBO: -80 V
-Voltaje de colector emisor VCEO: -65 V
-Voltaje emisor base VEBO: -5 V
-Corriente del colector DC: -100 mA
-Disipación de potencia Pd (c=25°C): 1.5 W
-Transición de frecuencia tf: 150 MHz
-Ganancia de corriente continua hFE: 110 hFE
-Temperatura de operación mínima: -55°C
-Temperatura de operación máxima: 150 °C
-Encapsulado: TO-92
-3 pines