Tipo: Bipolar
Polaridad del transistor: NPN
Voltaje colector base VCBO: 30 V
Voltaje colector emisor VCEO: 25 V
Voltaje emisor base VEBO: 5 V
DC Corriente del colector: 100 mA
Disipación de potencia Pd: 350 mW
Transición de frecuencia ft: 200 MHz
Ganancia de corriente continua hFE: 290 hFE
Temperatura de operación mínima: -55°C
Temperatura de operación máxima: 150°C
Encapsulado: TO-92
3 pines
(editar con el módulo de Información de seguridad y confianza para el cliente)
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Tipo: Bipolar
Polaridad del transistor: NPN
Voltaje colector base VCBO: 30 V
Voltaje colector emisor VCEO: 25 V
Voltaje emisor base VEBO: 5 V
DC Corriente del colector: 100 mA
Disipación de potencia Pd: 350 mW
Transición de frecuencia ft: 200 MHz
Ganancia de corriente continua hFE: 290 hFE
Temperatura de operación mínima: -55°C
Temperatura de operación máxima: 150°C
Encapsulado: TO-92
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