Características:
Polaridad del transistor: NPN
Voltaje colector base VCBO: 50 V
Voltaje de colector emisor VCEO: 40 V
Voltaje emisor base VEBO: 5 V
Corriente del colector DC: 500 mA
Disipación de potencia Pd: 625 mW
Transición de frecuencia ft: 100 MHz
Ganancia de corriente continua hFE: 400 hF
Temperatura de operación mínima: -55°C
Temperatura de operación máxima: 150 °C
Encapsulado: TO-92
3 pines
(editar con el módulo de Información de seguridad y confianza para el cliente)
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Características:
Polaridad del transistor: NPN
Voltaje colector base VCBO: 50 V
Voltaje de colector emisor VCEO: 40 V
Voltaje emisor base VEBO: 5 V
Corriente del colector DC: 500 mA
Disipación de potencia Pd: 625 mW
Transición de frecuencia ft: 100 MHz
Ganancia de corriente continua hFE: 400 hF
Temperatura de operación mínima: -55°C
Temperatura de operación máxima: 150 °C
Encapsulado: TO-92
3 pines