- Agotado o en almecén
Polaridad del transistor: PNP
Voltaje colector base VCBO: -50 V
Voltaje de colector emisor VCEO: -40 V
Voltaje emisor base VEBO: -5 V
Corriente colector DC: - 800 mA
Disipación de potencia Pd: 625 mW
Frecuencia de transición ft: 260 MHz
Ganancia de corriente DC hFE: 400 hFE
Temperatura de operación mínima: -55°C
Temperatura de operación máxima: 150 °C
Encapsulado: TO-92
3 pines
(editar con el módulo de Información de seguridad y confianza para el cliente)
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https://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/550008/ONSEMI/BC327.html
Polaridad del transistor: PNP
Voltaje colector base VCBO: -50 V
Voltaje de colector emisor VCEO: -40 V
Voltaje emisor base VEBO: -5 V
Corriente colector DC: - 800 mA
Disipación de potencia Pd: 625 mW
Frecuencia de transición ft: 260 MHz
Ganancia de corriente DC hFE: 400 hFE
Temperatura de operación mínima: -55°C
Temperatura de operación máxima: 150 °C
Encapsulado: TO-92
3 pines